吴全德（1923.12-2005.12.29）
浙江黄岩人，著名电子物理学家，中国科学院院士。
1943年考取西南联大，1947年毕业于清华大学电机系，留校任物理系教师。1952年院系调整，改任北京大学物理系讲师，1953年任电子学教研室代主任，1955年任电子物理教研室主任。1959年转到北京大学新建立的无线电电子学系，继续任原职。1961年被提升为副教授，1978年晋升为教授。曾任《物理学报》编委，中国电子学会理事，国防科工委夜视专业组副组长，电子工业出版社顾问，北京大学学术委员会委员，国家计委世界银行贷款项目“重点学科发展项目”专家组成员，基金委信息科学部电子学学科评审成员等；现任北京大学教授，博士生导师，《光子学报》杂志编委，中国科学院真空物理实验室学术委员会副主任，北京大学纳米科学与技术研究中心主任，国家自然科学基金委员会重大项目“纳米电子学基础研究”负责人，北京理工大学顾问教授，西安交通大学电子物理与器件国家教委开放实验室学术委员会主任，中国电子学会会士评审组成员和学术委员会委员等职务。1991当选为中国科学院院士。
吴全德长期致力于电子、离子、薄膜和表面、超微粒子的研究并取得了重大的成果，曾获得国家和部委的多项奖励。1958年开始光电阴极及有关器件的研究，主要从事银氧铯光电阴极研究。1963年提出光电阴极的固溶胶理论，指出了这种光电阴极的结构是金属银超微粒子埋藏于氧化铯半导体中。1966年提出离子晶体或共价晶体中固溶胶粒的形成和生长理论；1979年提出银氧铯阴极光电发射的物理模型，推导出长波光电发射的光电流密度和量子产额公式，计算了它的长波光谱响应理论曲线，从而得出对长波有贡献的平均银超微粒的直径约31埃。此理论被国外有关权威学者承认并称之为“吴氏理论”。1987年提出固体表面原子团和超微粒的形成及生长理论，其“超微粒子——半导体薄膜材料的结构和特征”获1987年国家自然科学三等奖，国家教委科技进步二等奖。 此外还进行了这种材料的亚阈值多光子光电发射和超短光脉冲检测研究。还与合作者提出多晶光电发射模型和理论，提出固体表面上原子团和超微粒的形成和生长理论，并推广到外延生长条件等问题。
吴全德长期在教学第一线工作，从任教讲授的课程有：无线电电子学，原子能应用电子学，阴极电子学，电子物理，原子物理，电子发射与电子能谱，电子材料的原子结构和电子结构，薄膜物理，表面电子学等课程。在研究生培养中，既注重系统性，又注意随时吸收科技发展的新成果，指导研究方向。40多年来培养了相当数量的本科生、硕士生和博士生。
从1956至1998年，吴全德在国内外刊物和学术会议上共发表论文140多篇。主要论文：The influence of velocity distribution of photoelectron upon image qualities in emission electron optical systems, Electronic conduction in metallic Ag particles-Cs2O semiconductor thin films, 光电子的初能量分布与角度分布，关于银氧铯光电阴极的发射机理，银氧铯光电阴极的长波光谱响应和固溶小胶粒，四川白云母薄膜的结构特性，超短光脉冲与真空器件，多碱光电阴极的导电特性及多晶结构模型，金属微粒—半导体薄膜中小胶粒的光吸收与散射，多碱阴极多晶导电特性的研究，银超微粒—氧化钡薄膜多光子光电发射特性等。
